Дані на 4 липня від Samsung Electronics відомі, що відділ рішень у сфері напівпровідникового бізнесу (DS) був переструктуризований, створено новий відділ розробки HBM. Віце-президент Samsung Electronics та високопродуктивний експерт з проектування DRAM Сун Ёнджу (транслітерація) очолює цей відділ розробки та керує командою, що зосереджується на розробці технологій HBM3, HBM3E та нового покоління HBM4. Крім того, Samsung Electronics також провела реструктуризацію відділу передового упакування (AVP) та науково-дослідного інституту з технологій для підвищення загальної технічної конкурентоспроможності.
Переглянути оригінал
Ця сторінка може містити контент третіх осіб, який надається виключно в інформаційних цілях (не в якості запевнень/гарантій) і не повинен розглядатися як схвалення його поглядів компанією Gate, а також як фінансова або професійна консультація. Див. Застереження для отримання детальної інформації.
За інформацією, Samsung Electronics перебудувала нову команду розробки HBM-чіпів
Дані на 4 липня від Samsung Electronics відомі, що відділ рішень у сфері напівпровідникового бізнесу (DS) був переструктуризований, створено новий відділ розробки HBM. Віце-президент Samsung Electronics та високопродуктивний експерт з проектування DRAM Сун Ёнджу (транслітерація) очолює цей відділ розробки та керує командою, що зосереджується на розробці технологій HBM3, HBM3E та нового покоління HBM4. Крім того, Samsung Electronics також провела реструктуризацію відділу передового упакування (AVP) та науково-дослідного інституту з технологій для підвищення загальної технічної конкурентоспроможності.